SISS10DN-T1-GE3

Сурет анықтама үшін берілген, нақты суретті алу үшін бізге хабарласыңыз

Өндіруші бөлігі	SISS10DN-T1-GE3
Өндіруші	Vishay / Siliconix
Сипаттама	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Санат	дискретті жартылай өткізгіш өнімдер
Отбасы	транзисторлар – феттер, мосфеттер – жалғыз
Өміршеңдік кезең:	New from this manufacturer.
Жеткізу:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Деректер тізімі	SISS10DN-T1-GE3 PDF

Қол жетімділік

Қоймада	3 461
Тауар өлшемінің бағасы	$ 1.06000

SISS10DN-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SISS10DN-T1-GE3 Техникалық сипаттамалар

Түр	Сипаттама
сериясы:	TrenchFET®
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
бөлігінің күйі:	Active
фет түрі:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
көз кернеуіне ағызу (vdss):	40 V
ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c:	60A (Tc)
жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы):	4.5V, 10V
rds on (макс) @ id, vgs:	2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ идентификатор:	2.4V @ 250µA
қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (макс):	+20V, -16V
кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds:	3750 pF @ 20 V
fet функциясы:	-
қуат шығыны (максимум):	57W (Tc)
Жұмыс температурасы:	-55°C ~ 150°C (TJ)
монтаждау түрі:	Surface Mount
жеткізуші құрылғы пакеті:	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
қаптама / қорап:	PowerPAK® 1212-8S

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.