SIHP11N80E-GE3

Сурет анықтама үшін берілген, нақты суретті алу үшін бізге хабарласыңыз

Өндіруші бөлігі	SIHP11N80E-GE3
Өндіруші	Vishay / Siliconix
Сипаттама	MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
Санат	дискретті жартылай өткізгіш өнімдер
Отбасы	транзисторлар – феттер, мосфеттер – жалғыз
Өміршеңдік кезең:	New from this manufacturer.
Жеткізу:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Деректер тізімі	SIHP11N80E-GE3 PDF

Қол жетімділік

Қоймада	17
Тауар өлшемінің бағасы	$ 3.70000

SIHP11N80E-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SIHP11N80E-GE3 Техникалық сипаттамалар

Түр	Сипаттама
сериясы:	E
пакет:	Tube
бөлігінің күйі:	Active
фет түрі:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
көз кернеуіне ағызу (vdss):	800 V
ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c:	12A (Tc)
жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы):	10V
rds on (макс) @ id, vgs:	440mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (макс) @ идентификатор:	4V @ 250µA
қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs:	88 nC @ 10 V
vgs (макс):	±30V
кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds:	1670 pF @ 100 V
fet функциясы:	-
қуат шығыны (максимум):	179W (Tc)
Жұмыс температурасы:	-55°C ~ 150°C (TJ)
монтаждау түрі:	Through Hole
жеткізуші құрылғы пакеті:	TO-220AB
қаптама / қорап:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.